執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NAND之間的性能(néng)差距，統計表明，對于給定的一套寫入操作(zuò)(尤其是更新(xīn)小(xiǎo)文(wén)件時)，更多(duō)的擦除操作(zuò)必須在基于NOR的單元中(zhōng)進行。這樣，當選擇存儲解決方案時，用(yòng)戶必須權衡以下因素：
NOR Flash支持随機訪問，所以支持XIP(execute In Place)，NAND Flash需要按塊進行讀取，所以不支持XIP
NAND FLASH理(lǐ)論讀取速度與NOR Flash相近，實際情況會根據接口不同有(yǒu)些差異
NOR 與 NAND 寫入前都需要先擦除，NOR在擦除時以64～128KB的塊進行，執行一個寫入/擦除操作(zuò)的時間約5s，NAND在擦除時以8～32KB的塊進行，執行一個寫入/擦除操作(zuò)的時間約4ms
NAND 理(lǐ)論最大擦除次數比NOR多(duō)
NOR 驅動比NAND簡單，NAND FLASH需要通過專門的NFI（NAND FLASH Interface）與Host端進行通信，驅動相對複雜
所有(yǒu)Flash 都會有(yǒu)位反轉的問題，NAND 位反轉概率要比NOR高，NAND Flash 必須要使用(yòng)ECC
NAND的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，所以NAND成本更低
NOR 與 NAND 各有(yǒu)特點，應用(yòng)場景與應用(yòng)難度也不同，一般來講，NOR适用(yòng)于小(xiǎo)容量、略低速且需要直接對地址塊進行操作(zuò)的應用(yòng)，而NADN則适用(yòng)于大容量的高速應用(yòng)。SD NAND 在保留了NAND架構優質(zhì)特性的同時改進了不足之處，内置的控制器能(néng)自行管理(lǐ)NAND Flash，無需在外部處理(lǐ)ECC和進行壞塊管理(lǐ)，免去了MTD層，不需要寫繁瑣的驅動代碼。
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